course-details-portlet

ET8303 - Kraftelektronikk, halvlederfysikk og pålitelighet

Om emnet

Vurderingsordning

Vurderingsordning: Muntlig eksamen
Karakter: Bokstavkarakterer

Vurdering Vekting Varighet Delkarakter Hjelpemidler
Muntlig 100/100

Faglig innhold

Følgene temaer inngår:
- Fysikk for optimal bruk av krafthalvledere: Kraftdioder, Krafttransistorer, Tyristorer, Gate Turn-Off Tyristorer, Insulated Gate Bipolar Transistorer, SiC komponenter
- Snubbere
- Driverkretser
- Kjøling
- Konstruksjon av høyfrekvente magnetiske komponenter.

Læringsutbytte

Å gi dyp innsikt i halvlederteori som gir optimal og pålitelig konstruksjoner, samt å gi fysikalsk forståelse av halvlederne som grunnlag for god design av kraftelektroniske omformere.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger, selvstudium og prosjektoppgave basert på litteratur.
Emnet undervises annet hvert år, neste gang vår 2012.

Kursmateriell

Mohan, Undeland og Robbins: Power Electronics, Converters, Applications, and Design, Wiley, 3rd Edition 2003.

Josef Lutz: Halbleite – Leistungsbauelemente – Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit
Springer Verlag 2006.

Tidsskriftartikler

Flere sider om emnet

Ingen

Fakta om emnet

Versjon: 1
Studiepoeng:  7.5 SP
Studienivå: Doktorgrads nivå

Undervisning

Termin nr.: 1
Undervises:  VÅR 2012

Undervisningsspråk: Engelsk, Norsk

-

Fagområde(r)
  • Elkraftteknikk
  • Teknologiske fag
Kontaktinformasjon

Ansvarlig enhet
Institutt for elektrisk energi

Eksamensinfo

Vurderingsordning: Muntlig eksamen

Termin Statuskode Vurdering Vekting Hjelpemidler Dato Tid Eksamens- system Rom *
Høst ORD Muntlig 100/100 03.12.2011
Rom Bygning Antall kandidater
Vår ORD Muntlig 100/100 30.05.2012
Rom Bygning Antall kandidater
  • * Skriftlig eksamen plasseres på rom 3 dager før eksamensdato. Hvis mer enn ett rom er oppgitt, finner du ditt rom på Studentweb.
Eksamensinfo

For mer info om oppmelding til og gjennomføring av eksamen, se "Innsida - Eksamen"

Mer om eksamen ved NTNU