44124 HALVLEDERTEKNOLOGI Halvleder komponent- og kretsteknologi Semiconductor device technology Faglærer: Førsteamanuensis Bjørn-Ove Fimland Uketimer: Høst: 3F + 1Øu + 1Øs + 1D = 9Bt Tid: Høst: F ti 11-13 EL4 Ø fr 09-10 EL4 fr 08-09 EL4 Eksamen: 3.desember Hjelpemidler: B2 Øvinger: F Karakter: TE
Mål: Faget skal formidle innsikt i halvleder tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter og integrerte kretser.
Forutsetning: Fag 44028 Elektronfysikk eller tilsvarende kunnskaper.
Innhold: Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskfase- og molekylstråle-epitaksi). Sonerensing og doping. Halvleder heterostrukturer og supergitter. Karakterisering av halvleder med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, C-V teknikker, DLTS), diffraksjonsmetoder (XRD, EXAFS, RHEED, LEED), optiske målemetoder (refleksjon, absorpsjon, luminesens, fotoledning) og ionestråle-basert teknikker (SIMS, ionespredning, Auger sputterprofilering). Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser; oksidasjon, diffusjon, ioneimplantasjon, litografi og etsing, trådbonding og pakking.
Undervisningsform: Forelesninger, regneøvinger, laboratoriedemonstrasjoner.
Kursmateriell: T.E. Jenkins: Semiconductor Science; Growth
and Characterization Techniques, Prentice Hall 1995, utfyllende
kursmateriell.